Il primato di Intel, attualmente detenuto con NAND Flash da 64 Layer, potrebbe decadere piuttosto in fretta, considerato che Toshiba, Western Digital e SK Hynix sono quasi pronte a commercializzare NAND Flash ben più dense.
Partendo da Toshiba e Western Digital, partner da diversi anni, abbiamo in fase di pre-produzione delle NAND Flash da 96 Layer (256 GigaBit), la cui produzione in serie è attesa per la prima metà del 2018, presso le FAB 5 e 6 di Yokkaichi, Giappone. Sempre con 96 Layer, sono in programma anche le NAND Flash “QLC” (Quadruple-Level Cell), la cui densità sarà pari a ben 512 GigaBit. In ultimo, per questo agosto, è prevista la presentazione negli Stati Uniti delle NAND Flash 3D “QLC” da 64 Layer, dalla densità record di 768 GigaBit (Possibile commercializzazione, fine 2018-inizio 2019).
Proprio a causa di tutte queste interessanti novità, Western Digital è piuttosto in apprensione riguardo il comparto Semiconduttori di Toshiba, attualmente in fase di (s)vendita: se dovesse essere acquistato da una rivale, sarebbero dolori dal punto di vista commerciale per Western Digital. Toshiba, attualmente, è seconda solo a Samsung dal punto di vista tecnologico in questo settore. Non deve quindi sorprendere se i rapporti tra i due soci in affari sono piuttosto alterati.
Passando a SK Hynix, questa ha in programma una NAND Flash TLC 3D da 72 Layer, per una capacità di 256 GigaBit. La produzione in serie di questa NAND è attesa per il terzo trimestre di quest’anno, quindi è imminente. Per il prossimo futuro si sta lavorando ad una sua evoluzione, una NAND Flash TLC 3D da 96 layer (384 GigaBit) la cui produzione dovrebbe iniziare nella seconda metà del 2018.
Insomma, sembra proprio che il mercato degli SSD possa finalmente riaprirsi da fine anno, a tutto favore dei consumatori. Questi ultimi, negli ultimi 6 mesi, hanno dovuto constatare amaramente che le varie case che vi sono impegnate sembra abbiano messo su una politica di cartello. Va comunque citata un'interessante affermazione di un addetto ai lavori, il quale conferma che più Layer verranno utilizzati per la produzione delle NAND Flash, maggiori saranno le probabilità di malfunzionamenti. Le varie case impegnate in questa corsa alla densità dovranno quindi cercare di giungere al migliore compromesso: "For 3D NAND flash memory, more layers and more data in cells can cause physical and functional problems. The key is how to overcome such shortcomings and implement better. Rather than just simply stacking up, processing speed and data reliability are the technologies that cannot be ignored".