All'International Electron Devices Meeting (IEDM), uno dei più importanti forum mondiali dedicato all’industria dei semiconduttori, Global Foundries ed Intel hanno parlato in maniera abbastanza ampia dei nodi FinFET di prossima generazione.
Partendo da Global Foundries, andiamo ad analizzare quanto si è detto sui 7nm FinFET. Questo nodo, realizzato sulla base delle tecnologie di IBM acquisite un paio di anni fa, permetterà a Global Foundries di evitare di prendere in licenza le tecnologie di Samsung, al pari di quanto fatto con i 14nm attualmente in uso. Come molti di voi sapranno, GlobalFoundries decise di abbandonare lo sviluppo del proprio nodo 14/16nm nel 2013, prendendo in licenza i 14nm di Samsung, al fine di concentrarsi sui 10nm. Dopo l’acquisizione del reparto fonderie di IBM, nel 2015, GlobalFoundries decise si saltare anche i 10nm FinFET, per sviluppare un nodo da 7nm “reale”.
| Nodo | Intel 14nm LVC | Intel 14nm HPC | GloFo 14nm | TSMC 16nm | Intel 10nm HP | GloFo 7nm |
| Cella SRAM | 0.0588 μm2 | 0.0706 μm2 | 0.080µm2 | 0.070µm2 | 0.0312 µm2 | 0.0269µm2 |
Come è possibile osservare dai dati forniti, questi 7nm si prefigurano realmente con un processo produttivo High Performance con tutte le carte in regola per sbaragliare la concorrenza, Intel compresa, la quale con i 10nm 3D-Gate potrebbe trovarsi in difficoltà a battagliare ad armi pari contro una AMD sui 7nm FinFET.
Si tratta sicuramente di un gigantesco passo avanti rispetto ai 14nm FinFET utilizzati per le CPU Ryzen, soprattutto per quanto concerne la densità. Anche le frequenze operative, con un +40% teorico dei 7nm sui 14nm, lascieranno spazio a notevoli margini di scelta da parte di AMD: +40% sulle frequenze, o medesime frequenze con un +55% di efficienza energetica? Oppure un mix di entrambi?
Il biennio 2018-19, arco temporale dell’entrata in servizio dei 10nm di Intel e dei 7nm di GlobalFoundries, sarà sicuramente gravido di interessanti risvolti commerciali nel mercato delle CPU x86.