Le GDDR5X sono state sviluppate da Micron Technology per venire incontro alle esigenze di quelle aziende che non vogliono/possono passare nel breve termine alle HBM di Hynix/AMD, ma che al contempo vorrebbero poter contare su memorie più veloci e meno esose delle attuali GDDR5.
Con un comunicato di due giorni fa, l'azienda statunitense ci informa che lo sviluppo delle GDDR5X è già a buon punto, ed i primi sample si sono dimostrati migliori del previsto: “The team at our Graphics DRAM Design Center in Munich, Germany is doing a fantastic job, too. Not only do we have functional devices earlier than expected, these early components are performing at data rates of more than 13Gb/s!”. Si è infatti toccata la velocità di 14Gb/s.
La prima generazione di GDDR5X è prodotta su nodo da 20nm, nel formato da 8Gb (1GB), ma per la seconda metà dell'anno potrebbe già risultare disponibile una versione migliorata prodotta su nodo da 15nm. Questo migliorerebbe ulteriormente i già ottimi consumi.
Nonostante le ottime premesse fin qui lette, va comunque detto che le altre case non sono rimaste con le mani in mano, e la rivale SK Hynix sta cercando di portare al limite lo sviluppo delle tradizionali GDDR5 attraverso uno shrink selvaggio. Non paga di essere il principale produttore delle HBM, Hynix non vorrebbe vedersi soffiare la fascia media del mercato, ancora decisamente imponente in quanto a market share (Pascal di NVIDIA sarà disponibile sia nelle varianti dotate di GDDR5/GDDR5X sia dotate di HBM2).
In ultimo, la notizia relativa alle GDRR5X ed al loro scorrevole sviluppo potrebbe finalmente dare un po' di respiro alle azioni di Micron, crollate del 40% negli ultimi due mesi (da quando Intel decise di allentare l'alleanza con Micron, per abbandonarsi tra le braccia dei ricchi cinesi, e produrre da sé le NAND 3D XPoint).