Secondo quanto siamo riusciti a venire a sapere dalle nostre fonti interne, l'azienda statunitense avrebbe intenzione di utilizzare il nodo 28nm FD-SOI (avuto in licenza da STMicroelectronics) per realizzare alcuni SoC di fascia media e bassa, in arrivo sul mercato nel 2016.
Qualcomm, utilizzando tale nodo, vorrebbe riacquisire il vantaggio perso nei confronti delle case rivali, in particolare MediaTek, offrendo dei SoC meno esosi dal punto di vista dei consumi ed al contempo più prestanti. Il nodo FD-SOI, come abbiamo già avuto modo di scrivere, permetterà il raggiungimento di questo obiettivo grazie alle proprie caratteristiche intrinseche.
Kelvin Low, Senior Director of Marketing per la Divisione Semiconduttori di Samsung, ha confermato recentemente che l'FD-SOI è un valido sostituto dei 14nm FinFET per quelle case che vogliono realizzare chip dal bassissimo consumo ma dalle buone prestazioni, o per quelle case che vogliono un nodo migliore dei 28nm BULK ma non sono disposte a pagare una fortuna per passare al FinFET.
Se con i SoC di punta Qualcomm dovrà rivolgersi necessariamente ai 14nm FinFET di Samsung e GlobalFoundries, per i SoC di fascia media e bassa l'FD-SOI rimane l'alternativa migliore. Nel caso Qualcomm dovesse avere successo con tale nodo, altre case potrebbero seguire l'esempio. Già ora sono numerose, come conferma Synapse, ma il numero potrebbe crescere esponenzialmente.