La piattaforma mobile Snapdragon 835 favorisce connettività e prestazioni avanzate, funzionalità di imaging ed esperienze immersive - Bits and Chips Skin ADV
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Qualcomm Technologies, Inc., sussidiaria di Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM), ha annunciato oggi che la sua piattaforma mobile Qualcomm Snapdragon 835 supporterà OnePlus 5, l’ultimo smartphone flagship di fascia premium di OnePlus. La piattaforma mobile Qualcomm Snapdragon 835, che prevede anche una RAM da oltre 8GB, è il primo SoC commerciale per il mondo mobile prodotto utilizzando la tecnologia FinFET 10nm, che permette di ridurre le dimensioni del device fino al 35% e il consumo della batteria del 25% rispetto al processore flagship di Qualcomm Technologies della generazione precedente. Ciò consente design più snelli e prestazioni migliori in diverse categorie, tra cui CPU, GPU, imaging, connettività ed efficienza energetica.

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"Siamo lieti che OnePlus abbia scelto la piattaforma mobile Qualcomm Snapdragon 835 per alimentare il loro prossimo smartphone flagship di fascia premium, in grado di offrire una delle più avanzate e immersive esperienze utente attualmente disponibili sul mercato", ha dichiarato Alex Katouzian, Senior Vice President and General Manager, Mobile di Qualcomm Technologies, Inc. "Inoltre, questa tecnologia abiliterà funzionalità di intrattenimento di prossima generazione e servizi cloud connessi".

"Stiamo progettando ogni nostro smartphone flahgship puntando su qualità di fascia premium, sia a livello estetico che in termini di componenti tecnologici, e siamo felici di proseguire la nostra lunga collaborazione con Qualcomm Technologies scegliendo Snapdragon 835 per la sua capacità di rendere OnePlus 5 un device in grado di offrire un'esperienza smartphone davvero premium” ha dichiarato Kyle Kiang, Global Head of Marketing di OnePlus. "Le sue funzionalità ottimizzate e le prestazioni di alto livello sono in perfetta sintonia con il nostro mantra di non accontentarsi mai ma offrire sempre un livello molto alto di prodotto”.

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Autore: PR
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