Ok. Ne abbiamo avuto conferma, i 20nm Made in GloFo non esistono. L'unica fonderia che ha, ed avrà, disponibile un nodo 20nm per i propri clienti è TSMC.
I 20nm ,per come erano stati studiati dalla International Semiconductor Development Alliance (ISDA), formata da IBM, GlobalFoundries, Freescale, Infineon, NEC, Samsung, STMicroelectronics e Toshiba, non vedranno la luce presso nessuna di queste fonderie. Questo significa che FORSE GlobalFoundries renderà disponibile per i propri clienti i 20nm di Samsung (come riportato da Fudzilla), ma il punto interrogativo è bello grosso, in quanto si tratterebbe di un nodo costoso quanto i 14nm FinFET e decisamente meno performante di quest'ultimi. Quale azienda fabless sarà così pazza da utilizzarlo (considerato anche che i rodati 20nm di TSMC, con il calo di richieste da parte di Apple, sarà disponibile per altri clienti nel prossimo futuro)?
Va poi considerato che GlobalFoundries attualmente ha allo studio la tanto agognata evoluzione dei 28nm FD-SOI di STM. Si tratta di un nodo, classificato come 22nm, frutto dell'unione delle ricerche sui 28nm SHP Bulk e dei 14nm FD-SOI di STM. Questo nodo vuole unire l'ottima resa ed i bassi costi dei 28nm SHP Bulk alle eccellenti prestazioni e i bassi consumi dei 14nm FD-SOI. Caulfield, Senior Vice President e General Manager presso GloFo, ha affermato: “We are also doing the early work on 22nm FD-SOI for a key customer set. And that technology will be ported to our Dresden fab at the end of this year. They will take that technology to volume manufacturing. [...] It’s planar, but it’s fully-depleted SOI. You can leverage the 28nm tools and get a power performance value proposition for our customers. Essentially, that gives them a finFET performance at 22nm. [...] 28nm will be a long-running node, because of the power performance for certain applications. We view 22nm FD-SOI as a great cost performance play, where you get finFET-type performance at 22nm and at 28nm cost. 14nm will also be a very long node. There are a lot of leading-edge designs at 28nm”.
A questo punto le notizie sui 22nm SOI High Performance allo studio presso GloFo sarebbero confermate, e potrebbero rivelare una sorpresa: che il prossimo nodo High Performance di IBM sia FD-SOI? Difficile, infatti, che GloFo possa portare avanti un 22nm ET-SOI ed un 22nm FD-SOI contemporaneamente, e con gli stessi obiettivi: “The goal is 14nm FinFET performance at 28nm costs”. Insomma, GloFo vuole avere un nodo prestante e dalle alte rese fin da subito, e la tecnologia FD-SOI è perfetta.
Non ci resta che attendere ulteriori informazioni, viste le ottime premesse.