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Se con la GTX 780 Ti HOF (qui la nostra notizia) Galaxy ha semplicemente sostituito la GPU GK110-300 con il GK110-425, sfruttando il PCB che precedentemente aveva realizzato per la vecchia GTX 780 HOF, con la nuova GTX 780 Ti HOF V20 il produttore di Hong-Kong ha realizzato una vera e propria scheda da overclock estremo in grado di duellare alla pari con la GTX 780 Ti KingPin Edition di EVGA.

La GTX 780 Ti HOF V20 sfrutta una sorprendente circuiteria di alimentazione a 14+2+3 fasi (GPU+Mem+PLL) supportata da 3 connettori PCIe AUX in configurazione 8+8+6 pin. Ineccepibile la componentistica elettronica che prevede condensatori in tantalio a polimeri solidi Panasonic POSCAP, più condensatore al tantalio Kemet da 330uF e mosFET Magnachip MDU3606, montati sullo splendido PCB bianco (sempre in versione custom ma questa volta anche over-size) che caratterizza la serie Hall of Fame di Galaxy.

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Attualmente non conosciamo la forma del dissipatore stock utilizzato da questa scheda e tanto meno le frequenze di clock di default, ma sappiamo che in overclock estremo (raffreddata con l'azoto liquido) la GTX 780 Ti HOF V20 ha appena conquistato il primo posto al 3DMark: FireStrike (preset Extreme) grazie all'overclocker Mad Tse.

In attesa che Vince "Kingpin" Lucido si accorga di essere stato spodestato dalla vetta e carichi il solito score di backup riportiamo la classifica ORB che attesta l'importante traguardo raggiunto da Galaxy e dal suo overclocker di fiducia.

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(Galaxy GTX 780 Ti HOF V20)

 

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Tra le GPU top di gamma di AMD o di Nvidia, di pari generazione, Asus ha sempre scelto solo una delle due soluzioni per equipaggiare la propria scheda video super-custom serie MATRIX. Ad esempio ha realizzato la HD 5870 MATRIX ma non la GTX 480, la GTX 580 MATRIX ma non la HD 6970, la HD 7970 MATRIX ma non la GTX 680. Questa volta, invece, il reparto ROG del produttore taiwanese ha deciso di accontentare sia gli appassionati di schede grafiche Radeon che i seguaci delle GeForce, annunciando contemporaneamente l'arrivo della R9 290X MATRIX e della GTX 780 Ti MATRIX, entrambe disponibili anche in edizione Platinum (ovvero con OC di fabbrica).

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A parte le GPU diverse (Hawaii vs. GK110) le due schede sono praticamente uguali, almeno esteticamente, a tal punto che è difficile distinguerle senza guardare attentamente il PCB. La sezione di alimentazione è la stessa: 14 fasi con tecnologia Super Alloy Power e condensatori metallici neri, così come uguale è il sistema di raffreddamento: DirectCU II Extreme 2.0 con heatsink ed heatpipe verniciate di nero e ventole CoolTech.

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R9 290X MATRIX e GTX 780 Ti MATRIX, trova le differenze!

La GTX 780 Ti MATRIX ha i connettori fisici per il multi-GPU (SLI), mentre la R9 290X MATRIX fa il CrossFire direttamente via XDMA, inoltre il numero di chip VRAM è diverso (12 vs 16), così come le connessioni per la zona Mem ed il circuito PLL.

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Tra le novità assolute per l'overclock estremo segnaliamo l'introduzione dello switch "Memory Defroster" per evitare il cold-bug dei chip di memoria video (particolarmente sensibili alle basse temperature). Ovviamente non manca lo switch "LN2 mode" che disabilitare l'OCP della GPU ed il pulsante Safe Mode che carica istantaneamente il BIOS di default. Dobbiamo ancora scoprire a cosa serve il connettore molex 4-pin posizionato sulla parte terminale del PCB.

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Frequenze di clock, prezzi e disponibilità sul mercato non sono stati comunicati.

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Dopo aver introdotto il My Cloud ad Ottobre ed il My Cloud EX4 il mese dopo, ora Western Digital ha annunciato l'arrivo del My Cloud EX2. Compito di quest'ultimo dispositivo, il colmare lo spazio nell'offerta lasciato libero dai primi due prodotti: il primo è infatti un NAS single bay dedicato per lo più all'utenza casalinga, il secondo, un NAS 4 bay dedicato ai piccoli uffici con due Gigabit e supporto ad alimentazione ridondante; ciò che mancava era un NAS con due bay che si ponesse a metà strada tra i due prodotti. Ed eccoci qui con il presente annuncio.

Il WD My Cloud EX2  è quindi un NAS dual bay con CPU Marvell ARMADA 370 (MV6710) (single core, ARMv7 funzionante a 1,2 GHz) con 512MB di RAM DDR3, una porta Gigabit, 2 USB 3.0. e naturalmente, supporto a RAID 0/1, JBOD e modalità spanning. Basato su kernel Linux 3.2.40 il NAS, garantito per 2 anni, supporta infine dispositivi DLNA/UPnP e consente l'esecuzione di applicazioni di terze parti, incluse tra le tante, aMule, Icecast, Joomla!, phpBB, phpMyAdmin, Transmission, SqueezeCenter. Infine, a completare l'offerta, un'applicazione compatibile con Android e iOS scaricabile nei rispettivi store che consente visualizzare foto, eseguire lo streaming di musica e video e, più in generale, gestire i file direttamente dal dispositivo mobile.

E per quanto riguarda i prezzi? Il WD My Cloud EX2 viene venduto in configurazione senza dischi al prezzo di 229 € o in abbinamento a due HDD appartenenti alla famiglia Red dell'azienda configurati in RAID 1 per una capacità totale (non contando ovviamente il RAID 1, che dimezza la capacità disponibile) di 4 TB (369€), 6 TB (449€) e 8 TB (569€). Prezzi quindi non troppo bassi, soprattutto se confrontati con i prodotti di Synology o in maniera minore di QNAP che offrono allo stesso prezzo NAS con HW più prestante, ma comunque ancora concorrenziali.

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desing gcnL'aggiunta del logo della Xbox One nel manifesto di presentazione delle DirectX 12 apre una porta sulla possibile compatibilità delle prossime API di Microsoft con le attuali GPU.

Anche se Microsoft e AMD non hanno mai svelato tutti i dettagli sull'architettura del chip grafico integrato nell'APU semi-custom della Xbox One, il nome in codice della nuova console del colosso di Redmond (Durango) figura nella documentazione ISA della generazione C.I. e questo indica che si tratta di una GPU con architettura di base GCN 1.1.

A questo punto tutte le GPU di AMD che rispettano tale design: Hawaii delle R9 290X/290s, Bonaire delle HD 7790 e delle R7 260X/260, Spectre dell'APU Kaveri, dovrebbero supportare appieno le feature delle nuove librerie grafiche DX12.

In realtà a livello Direct3D l'unica differenza tra GCN 1.1 e GCN 1.0 è la compatibilità "tiled resources" Tier 2 della prima, mentre la seconda si ferma al Tier 1, ma entrambe partono dalle Direct3D feature level 11.1.

E' ancora presto per dirlo ma se le API DirectX 12 utilizzeranno lo stesso Device Driver Interface delle Direct3D feature levels 11_1 (come Microsoft ha lasciato intendere) allora la compatibilità potrebbe estendersi a tutte le GPU GCN 1.0, ma a questo punto perchè non partire direttamente dal DDI Direct3D feature levels 11_0 ed allargare il supporto anche alle architettura Kepler e Maxwell di Nvidia? (ricordiamo che questa scelta è indipendente dalla necessità di un nuovo Windows Display Driver Model, ndr).

Attendiamo il 20 marzo per saperne di più.

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prova4Dopo una lunga attesa, è giunto il giorno del debutto ufficiale della MSI R9 290X Lightning.

Il produttore taiwanese ha rivisto completamente il PCB ed il sistema di raffreddamento della scheda video top di gamma di AMD creando un prodotto esclusivo in grado di soddisfare gli appassionati di overclock più esigenti.

Cominciamo dal circuito stampato, che presenta ben 12 layer ed è cresciuto sia in altezza che in lunghezza per fare spazio alla poderosa sezione di alimentazione a 10+3+2 fasi (GPU+Mem+PLL), contro le 5+2+1 fasi del modello referenze. MSI ha optato per una componentistica di assoluta qualità: con CopperMOS, Hi-C CAP, nuovi SFC e Dark Solid CAP. L'alimentazione esterna arriva tramite 3 connettori PCIe AUX in configurazione 8+8+6 pin (al posto di quella tradizione a 8+6 pin) in modo da garantire un power draw di 450W. Da notare che MSI dedica uno dei tre connettori esclusivamente all'alimentazione delle memorie, lasciando i 75W forniti dallo slot PCIe x16 solo alla sezione PLL; questa separazione netta (ricordiamo che sul modello reference PLL e Mem condividono parte delle risorse) fa in modo che l'overclock delle memorie video non sovraccarichi il bus PCI Express. I controller di tensioni sono tre, anche in questo caso separati per GPU, MEM e PLL. A causa della particolare PPC dell' architettura Hawaii MSI non ha potuto utilizzare il modulo aggiuntivo GPU Reactor, ma ha posizionato direttamente on-board tutta la componentistica necessarie per diminuire i disturbi sulla tensione di alimentazione (ripple).

Sempre sul PCB sono presenti i punti V-Check per la lettura della tensione tramite multimetro digitale e lo switch per il BIOS "LN2 mode", quest'ultimo disabilita il sistema di protezione OCP (Over Current Protection) ed elimina il coldboot/cooldbug. Un faceplate in alluminio raffredda le sezione VRM e VRAM mentre un backplate (sempre in alluminio) protegge la circuiteria sul retro.

Passiamo al dissipatore della GPU. La base di partenza è il TriFrozr che abbiamo già visto sulle GTX 780 Lightning, ma MSI ha aumentato le dimensioni del radiatore (adesso il sistema di raffreddamento occupa tre slot e non più due) ed ha rivisto il design delle heatpipe. Le tre ventole che sovrastano la struttura sono indipendenti, ognuna dispone di un controller e di un connettore dedicato, e regolano la loro velocità in base alla temperature segnalata dai sensori presenti su GPU, Mem e mosFET.

Per quanto riguarda le specifiche di default: la R9 290X Lightning non esce con un overclock di fabbrica particolarmente spinto, solo 80MHz in più sulla GPU, ma questa è una scheda di nicchia e MSI lascia all'utente finale il piacere di scoprire la frequenza stabile e quella massima raggiungibile dalla GPU Hawaii XT (e fornisce tutti gli strumenti sw/hw necessari per farlo, ndr).

Il prezzo? Non conosciamo ancora quello italiano, ma in Inghilterra la scheda è disponibile a 530 Sterline (645 Euro al cambio attuale).

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Secondo le ultime indiscrezioni, non provenienti solo dal portale DigiTimes, ma anche dalla società di analisi J.P.Morgan Global Equity Research, sembra che Altera abbia deciso di tornare all'ovile o, più precisamente, da TSMC.

 

 

Più di un anno fa Altera, in difficoltà nel controbattere a Xilinx nel mercato FPGA, si era rivolta ad Intel per produrre i propri chip di punta con il processo a 14nm FinFET: se non puoi battere l'avversario nella progettazione, cerca di batterlo attraverso il processo produttivo, si devono essere detti i dirigenti di Altera.

Sfortunatamente, i piani non stanno procedendo come si era sperato. Altera avrebbe dovuto effettuare i primi tape out dei propri FPGA alla fine del 2013, ed invece sembra che tale evento si debba rimandare di almeno un anno, secondo i comunicati ufficiali. Un ritardo mostruoso, e che porterebbe l'inizio della commercializzazione dei prodotti di Altera a 14nm alla seconda metà del 2015, lo stesso periodo dei processori FPGA di Xilinx prodotti con il nodo da 16nm FinFET di TSMC. Quest'ultimo è un nodo decisamente più economico rispetto a quello di Intel, e risulta preferibile anche perché sarà quasi contemporaneo a quello dell'azienda di Santa Clara (con uno scarto di appena 6 mesi): “Intel Corporation’s proposition for foundry is “premium pricing” in exchange for tech leadership – this can only work if they can deliver at least a one-year lead on each process node, since the cost of engaging with Intel is quite high given designs are not portable to any other foundry, in our view. We believe 14nm delay (process or foundry) may be a worry for prospective Intel customers, since 14nm was where Intel had a clear edge over TSMC”.

A questo punto la situazione si fa sempre più chiara: Intel dovrà cavarsela con le proprie forze contro ARM e i vari produttori Fabless nel mercato Mobile, così come dovrà cavarsela da sola per mantenere il vantaggio tecnologico residuo nei confronti delle fonderie Pure-Play.

Considerando che i 14nm/16nm potrebbero rimanere il principale processo produttivo per la prossima decade, e che i Wafer da 450mm sono in pesante ritardo, è possibile che Intel possa perdere il suo punto di forza principale, le fonderie. La partita, quindi, si giocherà prettamente sul piano della bontà del progetto. D'altra parte questa situazione la stiamo osservando da mesi anche nel mercato delle schede video discrete, un settore che stenta a smuoversi dai 28nm di TSMC.

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kabini desk iconAMD conferma le precedenti informazioni riportate da noi a questo indirizzo e annuncia oggi la versione desktop della APU Kabini destinate alla fascia entry level dei mini-PC a basso consumo energetico. Ricordiamo che le APU Kabini integrano una CPU con architettura "Jaguar" a due o quattro core, una GPU dal design "GCN" con 128 stream processor, un memory controller single-channel DDR3, oltre alla componentistica I/O (SATA 3, USB 3.0 ecc.) e sono realizzate con il processo pruduttivo a 28nm di TSMC.

Come previsto la casa di Sunnyvale ha chiamato il package di Kabini-desktop con il nome AM1 (in realtà si tratta del socket FS1b che dovrebbe accompagnare anche le APU Beema) ed utilizzerà i brand Athlon e Sempron per commercializzarle.

L'obiettivo di queste soluzioni è quello di consentire agli utenti di assemblare una piattaforma a basso consumo energetico mantenendo le caratteristiche di flessibilità e aggiornabilità delle APU di fascia superiore sfruttando un prezzo competitivo (AMD parla di 60 Dollari USA per la combo APU + MoBo).

Socket APU kabini

La disponibilità è prevista nei primi giorni del mese di aprile in alcuni paesi selezionati, con distribuzione a livello globale a partire dal 9 aprile.

kabini specs sck

Bernd Lienhard, corporate vice president e general manager, Client Business Unit, AMD ha commentato:

AMD consolida la sua leadership nel segmento delle APU con l’introduzione della nuova piattaforma AM1 con ‘Kabini’, un APU progettata per il mercato mainstream. La piattaforma AM1 ci offre la grande opportunità di proporre un’infrastruttura flessibile e una moltitudine di opzioni a disposizione degli utenti e dei produttori di sistemi che sono alla ricerca di una soluzione che sia da un lato aggiornabile e dall’altro disponibile ad un prezzo competitivo.

Maggiori informazioni sulle schede madri micro-ATX e mini-ITX per piattaforme AM1 sono disponibili sui siti dei produttori:

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L'entrata in servizio dei Wafer da 450mm, inizialmente destinati a sostituire quelli da 300mm entro il 2018, slitterà di almeno un lustro, secondo quanto riportano diverse fonti (tra cui Scotten Jones di SemiWiki).

 

 

Se nella teoria i Wafer da 450mm avrebbero garantito un aumento del 220% dei chip prodotti per wafer rispetto a quelli da 300mm, con conseguente notevole miglioramento delle economie di scala, nella pratica tale proposito si è andato a scontrare con oggettive problematiche tecnologiche.

Già quando si passò dai Wafer da 200mm ai Wafer da 300mm ci si accorse che i nuovi arrivati non fossero alla fine tutto questo ben di dio, e non è un caso che più delle metà delle FAB oggi operative utilizzino ancora quelli da 200mm. Se dal passaggio dai 200mm ai 300mm si ebbe un aumento di oltre il 100% di chip prodotti per wafer, ugualmente si ebbe un aumento di circa il 35% dei chip difettosi. Inoltre, si dovettero aggiornare i macchinari, ristrutturare le FAB e rivedere i software di design per utilizzare i Wafer da 300mm. Dei costi non indifferenti.

Al tempo, comunque, furono delle spese del tutto abbordabili, rispetto a quelle cui siamo abituati oggi. Nel 2000 realizzare una FAB ex-novo allo stato dell'arte costava circa 1 mld di dollari. Oggi, per fare lo stesso, servono più di 10 mld di dollari! Sempre utilizzando i Wafer da 300mm.

Ian Dedic di Fujitsu spiega bene la situazione: “Saying that 450mm reduces die cost by 30% is being economical with the truth – the missing phrase is “all other things being equal”,which they aren’t… Once the very high cost of developing and installing 450mm is paid off the cost may indeed be 30% lower – but who is going to pay back the multi-billion dollar cost of development and over what timescale? The semiconductor equipment supply industry took many years to recoup the development cost of switching to 300mm wafers, and there’s still a lot of 200mm kit out there”.

Come ben sappiamo ASML è molto indietro nella produzione di macchinari EUV per la lavorazione di processi produttivi da 14nm o migliori, macchinari che sono assolutamente necessari per mantenere un buona resa produttiva. Solo quando ASML (e Nikon, la rivale) avranno risolto i propri problemi, ci si sposterà verso i Wafer da 450mm. Inutile cambiare i macchinari, e sostenere costose spese di aggiornamento delle FAB per utilizzare i Wafer da 450mm con gli attuali nodi a 28nm, già rodati e allo stato dell'arte, o con i nodi a 20nm, ormai pronti per la produzione in massa.

D'altra parte, recuperare gli investimenti nel mondo delle fonderie è ben difficoltoso. Non è un caso che Intel abbia abbandonato il completamento della FAB42 e l'aggiornamento della FAB irlandese, o che TSMC produca ancora con PP antidiluviani (180nm e 250nm) per coprire le spese degli impianti più recenti: “the semi equipment industry was badly bitten by 300mm, they invested a lot into development on the promise of big orders which didn’t happen, and it took years for them to even break even on these costs. I doubt that they’ll fall for the same promises again”, spiega sempre Dedic di Fujitsu.

Se il processo produttivo a 28nm ci accompagnerà fino al 2016 inoltrato, quale principale nodo per le fonderie Pure-Play, i processi produttivi a 14nm e 16nm potrebbero essere i protagonisti fino al 2020 ed oltre. Ci dovremo preparare ad una lunga stasi delle fonderie?

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R9 280 lisciaAMD ha annunciato il debutto di una "nuova" scheda video appartenente alla famiglia Radeon R9: si tratta del modello Radeon R9 280, soluzione che va ad affiancare la R9 280X nel segmento di fascia medio alta.

Come anticipato in questa nostra news, la scheda è basata sulla GPU Tahiti PRO2, la stessa che equipaggia le HD 7950 BE (Boost Edition). AMD è intervenuta solo sulla frequenza di boost clock, innalzandola da 925MHz a 933MHz (+8 MHz, otto!), ha aggiornato i driver con una nuova mappa per l'Automatic Fan Controll, ma soprattutto ha aumentato il Power Limit di default: portandolo a 250W (contro i precedenti 225W).

Al pari della R9 280X non esiste un PCB reference; la casa di Sunnyvale utilizza per i sample lo stesso PCB della HD 7970, con una copertura un plastica diversa. A causa del nuovo Power Limit inserito nell'algoritmo di PoweTune AMD suggerisce ai partner di utilizzare anche sulla R9 280 il sistema di alimentazione supplementare (PCIe AUX) della R9 280X, quindi con la configurazione a 6+8 pin al posto di quella a 6+6 pin tipica delle HD 7950 e 7950 BE.

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A livello di architettura non cambia nulla, ritroviamo 1792 stream processors con 112 TMU e 32 ROP. Invariato anche il comparto memoria video con 3 GB di GDDR5 funzionanti a 5000 MHz abbinate al bus a 384bit, così come tutte le feature hardware e software supportate (ricordiamo che le GPU Tahiti non integrano il DSP per la tecnologia TrueAudio).

La disponibilità sul mercato delle R9 280 è prevista nei prossimi giorni con un MSRP (indicato da AMD) di 279 Dollari USA.

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GM107Con l'introduzione della prima generazione dell'architettura Maxwell Nvidia ha spostato l'attenzione più sull'efficienza energetica che sull'incremento prestazionale puro. Il primo chip grafico basato sulla nuova architettura è il GM107, che ha debuttato due settimane fa sulle schede video GeForce GTX 750 Ti e GTX 750.

Purtroppo sui sistemi desktop la sola caratteristica dei consumi ridotti non è bastata a Nvidia per far emergere questi due prodotti. Pur trovandoci in fascia medio-bassa l'utilizzo principale di queste schede è il gaming, ambito nel quale la concorrenza (AMD) offre soluzioni più veloci a parità di prezzo.

Dove la GPU GM107 farà sicuramente la differenza è nel mercato notebook. Qui i consumi bassi sono fondamentali, perchè intaccano direttamente la durata della batteria, ed il consumatore è disposto a chiudere un occhio sul prezzo.

Sul forum di notebookreview sono comparsi, a questo indirizzo, i primi test delle GeForce GTX 860M: scheda grafica mobile equipaggiata con il chip GM107. Le caratteristiche tecniche sono le stesse della controparte desktop GM104-400 (640 CC, 40 TMU, 32 ROP e iMC a 128-bit) e le prestazioni molto interessanti, considerando che il chip tieni quasi il passo della GTX 770M (full-GK106) pur consumando 35W in meno!

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Intel, come dimostra una ricerca effettuata da IC Insights, si conferma leader mondiale per gli investimenti in R&D tra le aziende attive nel settore dei semiconduttori. La casa di Santa Clara spende 10,611 mld di dollari in R&D, mentre seconda, a grande distanza, si posiziona Qualcomm, con 3,395 mld. Terza Samsung con 2,820 mld. Dalla tabella si può evincere come Intel spenda da sola quanto Qualcomm, Samsung, Broadcomm e ST Microelectronics sommate.

 


Dal sito di IC Isights: “Figure 1 shows IC Insights’ 2013 ranking of semiconductor companies by R&D spending. Intel continued to top all other chip companies in R&D spending in 2013 and accounted for 37% of the top-10 spending and 19% of total worldwide semiconductor R&D expenditures!”.

 

 

A questo punto, ci si potrebbe domandare: “Perché Intel, se spende tanto in R&D, è così in difficoltà con i 14nm, e rischia di venire ripresa dalle fonderie Pure-Play dal punto di vista tecnologico?”. La risposta è semplice e lineare: le altre fonderie, Samsung in primis, stanno sfruttando varie alleanze per limitare le spese di R&D, come ad esempio la Common Platform (di cui fanno parte IBM, Samsung e Globalfoundries) o il SOI Consortium (di cui fanno parte IBM, GlobalFoundries, UMC e Freescale). Questo permette alle varie fonderie che ne fanno parte di scambiarsi informazioni, tecnologie e brevetti, così da evitare di incorrere negli stessi problemi o in duplicati di studi e ricerche. Tutto questo porta ad un notevole risparmio di denaro e di tempo. La medesima strategia è applicata da TSMC, non con le fonderie, ma con i propri clienti fabless, come Qualcomm e Xilinx.

Un'altra cosa da tenere in considerazione è la tipologia di prodotto che si deve produrre. Le memorie Dram e NAND Flash non richiedono molti investimenti in R&D, quanto piuttosto in macchinari. Questo permette a Micron, Hynix e Samsung di avere notevoli guadagni senza rischi, quasi come fosse una rendita: “Another explanation for Samsung’s low R&D-to-sales ratio is that its primary business is making and selling DRAM and flash memory devices, which are commodity-type products that are very capital-intensive, but not as R&D-intensive as the complex, high-performance logic-based products made by Intel and TSMC”.

In ultimo, bisogna considerare un trend che si è attivato diversi anni fa e che non sembra accennare ad arrestarsi: le fonderie maggiori investono sempre più in R&D, mentre le fonderie minori sempre meno. Questo, come abbiamo già avuto modo di scrivere, porterà inevitabilmente ad una diminuzione dei player, e quindi ad una diminuzione dell'offerta per i produttori fabless. Questo porta a pensare, quindi, che anche fonderie oggi in salute, in futuro, potrebbero ritrovarsi in difficoltà: basterà un PP non all'altezza per decretarne la fine.

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