Come era stato preannunciato tempo addietro, la Cina si sta equipaggiando per diventare indipendente in diversi settori tecnologici, anche a costo di effettuare notevoli investimenti economici ritenuti inizialmente non convenienti (grazie alla propria economia statale, può permettersi di coprire i buchi di bilancio delle aziende controllate attraverso altre entrate). Uno di questi settori è quello delle memorie DRAM, uno tra i maggiori in quanto ad importanza strategica insieme a quello dei microprocessori (in quest'ultimo ambito la Cina ha già stretto importanti accordi con Via Technologies).
La Cina, attraverso le proprie aziende semi-statali, cercherà di diventare uno dei maggori produttori mondiali di DRAM in due passaggi. Il primo, è quello di iniziare la produzione di DRAM economiche grazie alla startup ChangXin Memory Technologies (CXMT), la quale sta acquistando macchinari in grado di utilizzare i Wafer da 300mm. La produzione inizierà entro la fine dell'anno e vedrà protagonista il nodo produttivo da 17nm (Samsung, SK Hynix e Micron, invece, sono sui 10nm). Queste DRAM andranno ad equipaggiare, ad esempio, i PC all'interno delle mastodontiche infrastrutture burocratiche del paese (uffici, scuole, ecc.).
Il secondo passo sarà quello di iniziare una battaglia, più lunga e su larga scala, con le tre aziende più sopra citate, grazie al colosso di casa, il Tsinghua Unigroup. I lavori per completare le FAB dovrebbero concludersi nel 2021, mentre la produzione su larga scala dovrebbe iniziare a far sentire il proprio peso sul mercato mondiale attorno al 2023. A partire da tale data la Cina dovrebbe essere finalmente indipendente da forniture di DRAM dall'estero.
Oltre alla produzione di DRAM, il governo cinese sembra stia pianificando anche la produzione su larga scala delle memorie NAND Flash, al fine di garantirsi un'elevata indipendenza economica e tecnologica nei confronti degli Stati Uniti anche in tale settore.