Samsung avrebbe iniziato la produzione di pre-serie delle memorie LPDDR5 nel formato da 16Gb, su nodo 10nm EUV, al fine di testarne le specifiche finali. La produzione di serie di queste memorie dovrebbe iniziare alla fine di questo 2020, mentre i primi prodotti ad utilizzarle si dovrebbero vedere sul mercato all'inizio del 2021. Tra questi, possiamo citare lo smartphone di fascia alta Samsung S30 (SoC Exynos 1000) e gli UltraBook dotati di CPU Intel "Tiger Lake".

Le memorie LPDDR5 da 16Gb avranno una bandwidth iniziale pari a 6.400 Mbps, superiore del 16% rispetto ai chip LPDDR5 da 12Gb/5500 Mbps (Prodotti su nodo 14nm EUV) attualmente in commercio. Samsung, quindi, ha deciso di utilizzare una strategia simile a quella utilizzata da TSMC con i propri nodi avanzati, introducendo novità passo dopo passo, senza rischiare inutili rivoluzioni: utilizzo della tecnologia EUV sui rodati 14nm FinFET, quindi passaggio ai 10nm EUV per massimizzare le rese, evitando l'utilizzo dei costosi 7nm EUV. Fino ad oggi Samsung ha sempre utilizzato i nodi più avanzati per la produzione di NAND Flash e DRAM, ma da ora in poi sembra che la storia sia destinata a cambiare: la produzione di questo tipo di memorie non può permettersi rese eccessivamente basse, in quanto si guadagna sulla quantità e non sulla qualità.

 

Memoria LPDDR5 - 6400 Mbps LPDDR5 - 5500 Mpbs LPDDR4 - 4266 Mbps LPDDR3 - 2133 Mbps
Nodo Produttivo 10nm EUV 14nm EUV 17nm 20nm
Tensioni di Funzionamento 1.8/1.05/0.9/0.5V 1.8/1.05/0.9/0.5V 1.8/1.1/1.1V 1.8/1.2/1.2V