Secondo gli ultimi report, Innosilicon avrebbe effettuato il tape-out di un proprio chip prodotto sul nodo N+1 di SMIC, equiparabile al nodo 8nm FinFET di Samsung: "Innosilicon, as a global one-stop provider of IP and ASIC customization, has achieved the world-first tapeout success on the advanced SMIC FinFET N+1 process with all the function tests passed in one stroke. This marks a significant milestone of the process iterations and joint efforts in the past few months".

A quanto pare le due aziende non hanno trovato grosse difficoltà nel portare a termine questo importante passo, e ciò è davvero un ottimo segnale per la prossima evoluzione di questo nodo, chiamato N+2 ed equivalente al nodo 7nm di Samsung e TSMC, almeno per quanto riguarda la densità.

Alla luce di ciò, Huawei potrebbe essere in grado di produrre chip ad alte prestazioni presso SMIC, aggirando così il recente divieto di produzione presso TSMC con i più recenti nodi FinFET.