La corsa al processo produttivo più avanzato, e soprattutto disponibile nel minor tempo possibile, vede tra i protagonisti anche Samsung, entrata di prepotenza nella competizione fin dalla presentazione anzitempo dei 20nm BULK (Si trattò di un processo produttivo ad uso e consumo della sola Samsung, sorretto dagli enormi guadagni derivati dai mercati DRAM e NAND Flash). Ora, dopo il discreto successo commerciale dei 14nm FinFET (Ricordiamo NVIDIA tra i clienti), e il discreto interesse suscitato dai 10nm FinFET, Samsung vuole fare il salto di qualità con gli 8nm FinFET.

In linea generale si tratta di un affinamento dei 10nm LPE FinFET che vengono utilizzati da Qualcomm per la produzione dello Snapdragon 835, attuale SoC di punta della casa statunitense. Con questo nuovo nodo da 8nm espressamente dedicato al mercato Mobile, e che dovrebbe garantire un -10% sui consumi, unitamente ad una densità maggiore del 10%, Samsung non vuole sbaragliare la concorrenza dal punto di vista delle qualità assolute del processo produttivo. I 7nm di GlobalFoundries e i 7nm di TSMC saranno superiori sotto ogni punto di vista agli 8nm di Samsung, e non di poco.

Quello che interessa alla casa coreana è giungere sul mercato prima delle concorrenti, con un processo produttivo più avanzato degli attuali 10nm di TSMC e dei 12nm di GlobalFoundries, per sfruttare il "momento commerciale". Se i 7nm di TSMC non si vedranno in commercio prima della fine del 2018, ed i 7nm di GloFo non si vedranno prima dell'inizio del 2019, gli 8nm di Samsung è probabile che li vedremo in commercio - sotto forma di SoC - già a partire dalla prima metà del 2018. Un vantaggio di 6-9 mesi che potrebbe portare in Corea del Sud diversi nuovi clienti, e che potrebbe convincere alcuni importanti clienti attuali, come ad esempio Qualcomm, ad effettuare un re-design dei propri SoC su questo nodo, al fine di avvantaggiarsi sulla concorrenza (Huawei, Apple, MediaTek, ecc).