GLOBALFOUNDRIES ed IBM hanno ufficializzato oggi la partnership, realativamente alla produzione di chip, presso la nuova Fab 8 di Saratoga County, nello stato di New York.
La Fab 8 utilizzerà lo stesso processo produttivo attualmente in uso presso la Fab di IBM situata a East Fishkill, situata a circa 150 km di distanza, ed entrerà a pieno regime, secondo le previsioni, verso la metà del 2012.
I wafer, di 300 mm di diametro, saranno la base per la produzione di chip da 32 mm, basati sulla tecnologia di IBM "Silicon-on-Insulator" (SOI). I prodotti cui sarà indirizzata la produzione sono chip grafici, di rete e per impieghi multimediali.
La tecnonologia di produzione è stata sviluppata congiuntamente da IBM, da GLOBALFOUNDRIES e da alcuni ricercatori della University at Albany’s College of Nanoscale Science and Engineering.
IBM si dice molto soddisfatta della nuova fonderia, e lo possiamo osservare leggendo la dichiarazione di Michael Cadigan, General Manager di IBM Microelectronics: "IBM has helped make New York State one of the world’s premier locations for semiconductor design and manufacturin. Recently, we announced that we would spend $3.6 billion researching and developing new silicon technology in New York. We bring the skills, investments and partnerships that keep New York at the forefront of advanced silicon development and manufacturing".
Nel prossimo futuro la Fab 8, la più grande degli USA con i suoi 300.000 metri quadrati di spazio lavorativo, inizierà anche la produzione di wafer con il processo produttivo High-k Metal Gate (HKMG) a 28 e 32 nm. Grazie alle implementazioni studiate congiuntamente ad IBM, sarà finalmente possibile vedere all'opera l'eDram (embedded dynamic random access memory) in sostituzione della Sram (static random access memory) quale memoria di tipo Cache, sempre che AMD sia ancora intenzionata ad utilizzarla nelle proprie prossime CPU. La eDram permetterà un notevole boost prestazionale, occupando appena un terzo della superficie della Sram.