Samsung Electronics ha iniziato a produrre in grandi volumi i chip memoria DDR4, dedicati alla prossima generazione di server enterprise e data center, impiegando la tecnologia di processo a 20 nanometri.

Il colosso sud-coreano utilizzerà chip DRAM da 4Gb (Gigabit) per assemblare inizialmente moduli DDR4 da 16GB (GigaByte) ma conta di aver a disposizioni anche moduli da 32GB nel 2014. Queste memorie offrono una velocità di trasferimento dati di 2667 Mbit/s, risultando 1.25 volte più veloci dell'attuali DDR3 pur consumando circa il 30% in meno.

Per quanto riguarda il mercato consumer probabilmente non vedremo moduli DDR4 prima del 2015 e solo quando arriveranno le soluzioni compatibili Skylake di Intel e Carrizo di AMD.

Young-Hyun Jun, executive vice president, memory sales & marketing di Samsung Electronics ha dichiarato:

The adoption of ultra-high-speed DDR4 in next-generation server systems this year will initiate a push toward advanced premium memory across the enterprise. After providing cutting-edge performance with our timely supply of 16GB DDR3 earlier this year, we are continuing to extend the premium server market in 2013 and will now focus on higher density and added performance with 32GB DDR4, and contribute to even greater growth of the green IT market in 2014.

ddr4 module