Toshiba ha annunciato lo sviluppo di un prototipo di cella di memoria basato su tecnologia STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive random access memory) la cui particolarità è quella di offrire i più bassi cosumi energetici sinora registrati.

Le potenzialità sono talmente elevate da poter superare l'efficienza delle SRAM come memoria cache e poter essere delle degne sostitute nelle CPU per tutti i prodotti digitali compresi i dispositivi mobile quali smartphone e tablet.

toshiba perpendicular magnetization stt-mram 01

Le memorie STT-MRAM derivano dalle MRAM, in grado di rispondere alle richieste di miglioramento delle performance e riduzione dei consumi. Basate sulle caratteristiche magnetiche degli atomi, sono di tipo non volatile, capaci di tagliare in maniera netta le correnti di leakage nello stato di standby. Finora, però, queste memorie mostravano consumi superiori a quelli delle SRAM durante la modalità operativa, impendendone di fatto un'applicazione pratica.

Il nuovo elemento di memoria realizzato da Toshiba permette di superare anche quest'ultimo ostacolo con una riduzione dei consumi del 90 percento. La struttura migliorata è basata su magnetizzazione perpendicolare ed è realizzata con processo produttivo inferiore ai 30 nm.

Le STT-MRAM di Toshiba sono del tipo "nomalmente-spente" e in grado di evitare perdite di corrente sia in modalità operativa che in standby restando nel proprio stato senza alcuna necessità di alimentazione. L'integrazione delle STT-MRAM nelle memorie cache fa sì che si riducano i consumi, in un tipico processore mobile, di circa due terzi.

 

toshiba mram 01