Daniel Nenni, di SemiWiki, parla del possibile ritardo dei 14nm di Intel e riesce a darci, grazie alle proprie conoscenze, alcune interessanti informazioni per chiarire la situazione.

Nei mesi scorsi abbiamo parlato abbondantemente dell'argomento, ed ora abbiamo anche dei dati tecnici su cui discutere.
Intel, per i 14nm, ha deciso di fare un piccolo leapfrog (salto della rana), in quanto i 14nm della csa di Santa Clara integreranno ben due innovazioni non di poco conto durante la lavorazione. I 22nm di Intel sono realizzati tramite il single patterning, ed utilizzano un first metal pitch di 80nm. Con i 14nm Intel ha deciso di utilizzare il double patterning ed un first metal pitch di 64nm. Questi cambiamenti potrebbero essere alla base dei ritardi, anche a causa di ASML.
TSMC e GloFo, invece, hanno preferito procedere per gradi, anche se questo teoricamente avrebbe portato a dei ritardi rispetto ad Intel (ma questa volta ASML gioca a loro favore: il ritardo nella preparazione dei macchinari adatti sta rallentando Intel, non loro). Queste due fonderie hanno deciso i utilizzare il double patterning ed il first metal pitch di 64nm in nodi planari da 20nm, semplificandone così l'implementazione e lo studio. Solo in un secondo momento si sarebbe passati ai transistor FinFET @14/16nm.
In conclusione ci troviamo di fronte a due metodologie di applicazione: Intel probabilmente ha voluto strafare per conservare la propria leadership, e forse le sarebbe anche andata bene se ASML fosse stata pronta con i propri macchinari, ma il ritardo di questi ultimi potrebbe mandare tutto a monte. Forse ci troveremo nel 2015 con queste tre fonderie (Intel, GloFo e TSMC) quasi alla pari nei processi produttivi. Il tutto non per meriti o demeriti propri, ma a causa della fornitrice dei macchinari, ASML.
Pubblicato in: News, Hardware
Tags: 14nm , asml , finfet , glofo , intel , tsmc
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