All'International Electron Devices Meeting (IEDM), uno dei più importanti forum mondiali in cui si incontrano tutte le aziende impegnate nel mondo delle fonderie, ed anche i produttori fabless più in vista, quest'anno si è vista una Intel decisamente sottotono (Qui il programma).

La parte del leone l'ha fatta il SOI Consortium, e più in particolare ST-Microelectronics con il suo processo produttivo FD-SOI, realizzato in collaborazione con IBM, ed attualmente in produzione, secondo i rumor, presso GlobalFoundries con nodo a 28nm.

Se l'unica relatrice riguardo la tecnologia FinFET è stata TSMC, a parlare di FD-SOI si sono susseguite STMicroelectronics, Soitec, Leti, IBM, Globalfoundries e Renesas, le quali hanno discusso diffusamente di tale processo produttivo.

Abbiamo già avuto modo di affermare di come GloFo abbia scelto l'FD-SOI per la realizzazione di chip ad alte prestazioni, ma grazie a questo simposio si è venuti a sapere che altre aziende, tra cui Soitec e Renesas, sono ormai sicure di utilizzarlo anche per chip economici e dal basso consumo, come ad esempio chip embedded e SoC.

L'FD-SOI è già sui nastri di partenza per i 14nm, sia planari sia con tecnologia FinFET integrata, e tale nodo dovrebbe ricevere la certificazione verso la metà del 2014. La produzione in massa, quindi, potrebbe già cominciare a fine 2014.

Intel, da sempre protagonista dell'IEDM, in questa edizione ha deciso mantenere un profilo decisamente basso. Nessuna conferenza, infatti, è stata messa in scena per il nodo a 14nm 3D Gate (come Intel chiama il FinFET). Al contrario, relativamente ai 22nm e ai 32nm Intel parlò diffusamente negli anni passati, vantandosi, e non poco, delle proprie fonderie allo stato dell'arte.

Secondo i rumor emersi durante la conferenza o, meglio, durante le pause tra una presentazione ed un'altra, sembra che Intel possa avere incontrato difficoltà nell'implementare il double patterning direttamente sui 14nm, un nodo decisamente difficile dal punto di vista delle rese. Al contrario, TSMC, sempre sul processo BULK, utilizzerà una roadmap più tranquilla, passando dai 28nm BULK planari, ai 20nm BULK planari con  double patterning, per finire con i 16nm FinFET con  double patterning. Anche la roadmap FD-SOI è sulla falsariga di quella utilizzata da TSMC, ma ancora più conservativa: 28nm con  double patterning, 20nm con  double patterning (STM ha deciso di saltare questo nodo produttivo, eccessivamente simile al precedente), 14nm  con double patterning e possibile integrazione della tecnologia FinFET (quest'ultima implementazione è studiata direttamente da IBM).

A questo punto, le parole di Nenni riguardo il ritardo di Intel nella commercializzazione dei 14nm si fanno sempre più realistiche.

Pubblicato in: News, Hardware
Tags: barefoot , ocz , ssd , toshiba , vertex

Autore: Gian Maria Forni
Esperto in: Esperto di mercati e CPU

Sebbene sia laureato in Lettere e Filosofia, indirizzo Storia Contemporanea, e scriva per quotidiani e riviste di tale settore, ha sempre avuto la passione per l'informatica ed ha collaborato quale moderatore in importanti forum del settore

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