É di questa mattina l'annuncio di Samsung dell'avvio di produzione in massa delle nuove memorie LPDDR3 "Low Power DDR3", realizzate con processo produttivo a 20 nanometri con frequenza pari a 800MHz ed indirizzate ai tablet e smartphone di fascia alta che vedranno luce a fine anno.
Questi nuovi chip avranno capacità di 4Gb (Gigabit), pari a 512MB (MegaByte), e sono in grado di trasmettere dati fino a 2133 Mbps (Megabit al secondo) per pin, di gran lunga superiori agli 800 Mbps supportati dalle LPDDR2.
Per dare un'idea pratica di quanto equivalgano questi dati, Samsug afferma che queste memorie sono in grado di trasmettere tre video in Full-HD al secondo.
Sul lato dei consumi è garantito un utilizzo di energia pari al 20% inferiore ai moduli prodotti con tecnlogia a 30 nanometri.
Queste memorie verranno vendute da Samsung ai vari produttori OEM in moduli da 4 chip stacked per un altezza totale di 0,8mm (0,2mm per ciascun chip).
Pubblicato in: News, Tablet & Smartphone
Tags: lpddr3 , ram , samsung , smartphone
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