Toshiba ha allo studio dei prototipi di chip NAND Flash e ReRam utilizzanti i recenti transtistor 3D, e questo tipo di prodotti potrebbero rivoluzionare il mercato.

Se fino ad oggi, ed anche nel prossimo futuro, le classiche memorie saranno costruite con il classico disegno 2D (layer su layer di transistor sovrapposti), Toshiba ha intenzione di utilizzare dei transistor che si svilupperanno verso l’alto, in verticale, e che non avranno bisogno di substrati di comunicazione tra layer e layer. Toshiba avrebbe coniato un nome per questa tipologia di NAND: BICS

Per le NAND Flash utilizzanti i transistor 3D si parla del 2015 per l’avvio della commercializzazione, ma già il prossimo anno si dovrebbero vedere i primi prototipi funzionanti con chip dalle capacità di 128 e 256 GBit.

Toshiba crede che le proprie NAND BICS possano essere una valida economica alternativa alle future e più veloci ReRam, e lo crede anche Jim Handy, dell’agenzia Objective Analysis: “All those new technologies (MRAM, ReRAM, FRAM...) perform better than NAND (BiCS is a kind of NAND) but are more costly. In memory cost is everything so these alternatives don't do well. […] I suspect that NAND will stop scaling at around 10nm, but BiCS will cause NAND pricing to continue to decline after that”.

Insomma, verso il 2015 potremmo vedere SSD suddivisi in due categorie: quelli utilizzanti chip NAND BICS e quelli utilizzanti ReRam. Più scelta per il cliente, a prezzi più concorrenziali. Una buona prospettiva.

Pubblicato in: News, Hardware
Tags: nand , toshiba , transistor3d

Autore: Gian Maria Forni
Esperto in: Esperto di mercati e CPU

Sebbene sia laureato in Lettere e Filosofia, indirizzo Storia Contemporanea, e scriva per quotidiani e riviste di tale settore, ha sempre avuto la passione per l'informatica ed ha collaborato quale moderatore in importanti forum del settore

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