Sembra confermato che i 10nm 3D-Gate di Intel subiranno un ulteriore ritardo, rispetto a quanto si era supposto. Il CEO di Intel, Brian Krzanich, non ha fatto menzione dello stato "di salute" di questo processo produttivo durante la propria conferenza al CES 2018. Evitare di parlarne significa, implicitamente, confermare che le cose non stanno andando come previsto.
Nel settembre dello scorso anno si era parlato di un posticipo di Cannonlake-S alla fine del 2018, con la presentazione delle varianti Mobile nella prima metà del 2018. La roadmap potrebbe subire un ulteriore slittamento, arrivando così ad accomulare quasi due anni di ritardo. Cannonlake, nelle sue varianti, potrebbe venire commercializzato solo a partire dalla prima metà del 2019 (Cannonlake Mobile era previsto nel 2Q16 originariamente. Vedere slide qui di seguito).
Una situazione affatto rosea, se pensiamo che TSMC inizierà la produzione su larga scala con i suoi 7nm FinFET nella seconda metà di quest'anno, e che GlobalFoundries farà altrettanto con i suoi 7nm LP alla fine dell'anno.
Anche il tanto decantato vantaggio tecnologico assoluto di Intel sembra essere messo in seria discussione, contrariamente a quanto si legge sui forum o sui gruppi di discussione. Se andiamo a leggere la documentazione ufficiale fino ad oggi uscita, i 7nm LP di GlobalFoundries sembrano effettivamente superiori ai 10nm 3D-Gate di Intel anche dal punto di vista della densità. Percentualmente, quindi, la densità dei due nodi si rispecchia anche nella nomenclatura. Non va poi dimenticato che secondo le ultime voci, i Fin del nodo di GlobalFoundries hanno una forma maggiormente rettangolare rispetto a quelli di Intel, la qual cosa favorisce i design High Performance (Secondo alcune proiezioni, questo dovrebbe garantire un vantaggio di circa il 20% sulla frequenza dei chip prodotti su nodo GloFo rispetto a quelli prodotti su nodo Intel). Qui di seguito la tabella che mette maggiormente in chiaro la situazione.
| Nodo | 10nm-3D-Gate | 7nm Leading Performance |
| Cella SRAM (Elevata Densità) | 0.0312 um2 | 0.0269 um2 |
| Cella SRAM (High Performance) | 0.0441 um2 | 0.0353 um2 |
| Fin Pitch | 34nm | 30nm |