Il Professore Asen Asenov, CEO della Gold Standard Simulations, lo abbiamo citato per la prima volta due anni addietro, quando pubblicò uno studio nel quale criticava abbastanza apertamente l'implementazione FinFET di Intel con il processo litografico a 22nm.

Oggi, sempre Asenov, pubblica un secondo articolo sull'implementazione FinFET di Intel, ma con il processo litografico a 14nm, e cambia quasi completamente opinione: “The fabrication is extremely good, I was initially disappointed by the Intel 22nm process but, seeing what they’ve done at 14nm, they’ve done a very good job on the fin”.

Asenov, al tempo, criticò Intel in quanto implementò una versione imperfetta del Fin, dalla forma trapezoidale, invece della più efficiente forma rettangolare: “First, rectangular gives you better electrostatic control and better short channel effects – it gives stronger sensitivity to channel effect variations. The second thing is how much current can flow through the transistor. The current flow through the top of the transistor is not as high, in a trapezoidal fin, as you would want”.

Con i 14nm, quindi, Intel dovrebbe migliorare notevolmente i consumi delle proprie CPU, soprattutto negli stadi di consumo meno elevati, caratteristica essenziale nel mercato Mobile, grazie all'introduzione del Fin rettangolare. Tale miglioramento, dovrebbe garantire un miglioramento dei consumi pari a x1.7 rispetto ai 22nm, a parità di transistor.  Asenov, alla fine, si dice soddisfatto di aver visto giusto nelle proprie critiche, in quanto Intel ha migliorato il proprio processo produttivo dove le critiche sono state più severe, e si lancia in una battuta: “It would appear that Intel is a fast learner. I think we may be able to claim some credit for that”.

In conclusione, sebbene Asenov affermi che si tratta quasi di un miracolo (almost a miracle – extremely impressive), quello compiuto da Intel, gli FD-SOI sono ancora in vantaggio dal punto di vista produttivo (minori costi, migliori caratteristiche): “14nm FD-SOI will be 40% cheaper than 14nm FinFET”. Speriamo Samsung e GloFo possano mostrare velocemente che Asenov anche questa volta ci ha visto giusto, e speriamo che Intel migliori le rese dei propri 14nm, probabilmente più basse del previsto a causa proprio dell'utilizzo del Fin rettangolare, molto più difficile da implementare rispetto a quello trapezoidale.

Pubblicato in: News, Enterprise/Business
Tags: 14nm , asenov , fd-soi , finfet , gss , intel

Autore: Gian Maria Forni
Esperto in: Esperto di mercati e CPU

Sebbene sia laureato in Lettere e Filosofia, indirizzo Storia Contemporanea, e scriva per quotidiani e riviste di tale settore, ha sempre avuto la passione per l'informatica ed ha collaborato quale moderatore in importanti forum del settore

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