Al prossimo IEDM (International Electron Devices Meeting), una delle più grandi manifestazioni al mondo dove le Fonderie si incontrano per discutere delle future tecnologie, GlobalFoundries parlerà dei propri nodi a 14nm e 20nm FD-SOI. Qui il programma.

Il 10 Dicembre si terrà il workshop intitolato “High Performance UTBB FDSOI Devices Featuring 20nm Gate Length for 14nm Node a nd Beyond”, e come relatore sarà presente anche Scott Luning, Advanced Device Development di AMD.

Al presenza di Luning, responsabile in AMD della scelta dei processi produttivi, è un segnale importante. GloFo, in passato, aveva affermato che il nodo FD-Soi sarebbe stato utilizzato per i chip ad alte prestazioni, ed AMD potrebbe sceglierlo per le future CPU FX Excavator o le APU Carizo.

Sempre il 10 Dicembre vi sarà il workshop intitolato “Comprehensive Study of Effective Current Variability and MOSFET Parameter Correlations in 14nm M ulti - Fin SOI FINFETs”, nel quale si discuterà dell'implmentazione della tecnologia FinFET (3D Transitor) nei nodi SOI (PD-SOI e FD-SOI). Decisamente numerose le compagini di Glofo, ST Microelectronics ed IBM.

Alla luce di ciò appare evidente come GloFo abbia deciso di sfruttare il Modulo 1 della FAB 1 di Dresda per i nodi FD-SOI.

Pubblicato in: News, Hardware
Tags: 20nm , amd , apu , carizo , fd-soi , globalfoundries

Autore: Gian Maria Forni
Esperto in: Esperto di mercati e CPU

Sebbene sia laureato in Lettere e Filosofia, indirizzo Storia Contemporanea, e scriva per quotidiani e riviste di tale settore, ha sempre avuto la passione per l'informatica ed ha collaborato quale moderatore in importanti forum del settore

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