Samsung ha già preso un discreto margine di vantaggio, rispetto ai propri concorrenti diretti, nel mercato delle NAND Flash, grazie anche all'introduzione con largo anticipo della tecnologia 3D. Questo vantaggio le sta permettendo di chiudere contratti faraonici con diverse aziende, come ad esempio Google, con tutto quello che ne comporta: maggiori introiti, un più veloce piano di recupero dei fondi spesi in R&D e, cosa da non sottovalutare, un'immensa quantità di pubblicità indiretta.

L'altro colosso coreano attivo in questo mercato, SK Hynix, tenterà così di recuparere almeno parte del terreno perso, attraverso la commercializzazione, nella seconda metà del 2015, delle memorie NAND 3D a 36 strati, come riporta il quotidiano Business Korea: “We have developed 24-layer 3D NAND flash chips and completed the preparation for mass production at the end of last year. The first to be mass produced will be the 36-layer products. Also, we will start preparing the mass production of the 48-layer 3D NAND flash memory chips from the end of this year so we can have cost competitiveness next year”, si è affermato all'ultima conference call sui risultati trimestrali.

Hynix, al pari di Intel, Micron, SanDisk e Toshiba, sta tentando disperatamente di raggiungere Samsung sul piano tecnologico, dopo che quest'ultima, attraverso una strategia molto aggressiva, è riuscita a ritagliarsi un vantaggio di quasi un anno sulle concorrenti (un'enormità nel campo informatico): “A 3D NAND flash chip is a product that sparks keen development competition among global semiconductor businesses. While Samsung Electronics is expected to produce 48-layer 3D NAND flash chips later this year, overseas businesses such as Intel and Micron are jumping into the race”.

Va anche notato che Hynix, al pari di Toshiba, comincerà a breve la produzione su larga scala di memorie NAND Flash di tipo TLC a 16nm, al fine di inondare il mercato di memorie a bassissimo costo per la realizzazione di SSD ed altri dispositivi di memorizzazione di fascia ultra low budget.

In ultimo, per quanto riguarda il mercato DRAM, Hynix giungerà nuovamente in ritardo rispetto a Samsung, in quanto la produzione di chip a 10nm comincerà oltre 6 mesi dopo la rivale: “The company showed the conservative position on microfabrication technology, in which semiconductor companies are currently competing. It announced that it would unveil a late-10 nm DRAM sample product in June next year. Currently, Samsung Electronics is about to mass produce late-10 nano DRAM products”.

Pubblicato in: News, Business
Tags: 10nm , 16nm , 3d nand , dram , google , hynix , korea , nand flash , samsung

Autore: Gian Maria Forni
Esperto in: Esperto di mercati e CPU

Sebbene sia laureato in Lettere e Filosofia, indirizzo Storia Contemporanea, e scriva per quotidiani e riviste di tale settore, ha sempre avuto la passione per l'informatica ed ha collaborato quale moderatore in importanti forum del settore

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